DRAM代表动态随机存取存储器。它是一种半导体存储器，其中存储器以电荷的形式存储。 DRAM中的每个存储器单元由晶体管和电容器制成。数据存储在电容器中。电容器由于泄漏而导致电荷松动，因此DRAM是易失性器件。为了将数据保存在存储器中，必须定期刷新器件，而SRAM是静态的，因此只要供电，它就会保留一个值。 SRAM通常比DRAM快，因为它没有刷新周期。由于每个SRAM存储器单元由6个晶体管组成，不同于DRAM存储器单元，其由1个晶体管和1个电容器组成，因此与DRAM相比，SRAM中的每存储器单元的成本要高得多。根据类似的推理，可以推断，DRAM的密度大于给定固定区域的SRAM。示例：由于密度较高，因此速度较高而在缓存中使用SRAM，而由于密度较高，因此将DRAM用于PC中的主存储器。

Cypress不生产DRAM。