如下：

• 同一ECC单元上的多页编程

• 覆盖同一地址

• 单字节编程

如果在编程或擦除期间发生突然断电或闪存RESET，则目标扇区中的数据变得不稳定。 要恢复受影响的扇区，请再次擦除目标扇区并重写数据。擦除或编程区域以外的扇区不会受到突然断电或闪存复位的影响。

对于此器件，只要扇区为空或擦除，就可以一次写入一个字节，但效率不高。这是因为使用页面编程缓冲区在一次操作中，编写一个完整页面需要相同的时间。但是，单字节编程禁用第二个单字节程序上的ECC，到相同的16字节ECC单元上。因此建议始终使用页面编程缓冲区进行有效编程。

S25FL-S不支持任何类似于深度掉电模式的功能。待机功耗模式是最低功耗模式。 S25FL-S进入待机模式并消耗~70μA，但它已做好准备接受任何命令。一旦 CE # 输入信号低, SPI 闪存设备将消耗最多 100 mA。

尽管超过推荐的工作温度，该设备也能正常工作，但Cypress并不保证它不会导致故障。如果超过其最大承受范围，设备就有可能发生不稳定的操作。因此设备必须在推荐的工作范围内运行。

编程/擦除循环后的数据保留时长由三个主要参数决定：

1. 系统现场温度（编程/擦除循环和数据存储）

2. 程序/擦除周期总数

3. 循环间隔时间

虽然闪存设备可以同时支持单字编程和写缓冲区编程，但首选的方法是写缓冲区编程，因为它更有效。建议使用最大字数加载缓冲区，因为无论缓冲区中是加载了一个字还是最大字，写缓冲区时间都是相同的。因此，写缓冲区的编程时间不依赖于字数。

这意味着预编程时间不包括在擦除时间内。对于没有此注释的产品，预编程时间包含在规范的擦除时间中。

在扇区或芯片擦除操作期间，预编程指的是检查现有数据位并将所有位从“1”（擦除）状态编程到“0”（编程）状态的操作。 当预编程完成时，存储器阵列中的所有数据位为'0'; 然后启动（扇区或芯片）擦除算法，擦除从'0'（程序）状态到'1'（擦除）状态的所有位。闪存只能从“1”编程为“0”。但是，对于每个扇区或整个存储器阵列来说，闪存只能（扇区或芯片）从“0”到“1”同时擦除。在扇区或芯片擦除操作中，预编程算法自动启动，且不能被禁用。

不会。备用区的使用不会影响Cypress NAND闪存设备的耐用性和数据保留。通常来说，NAND需要通过ECC进行纠错。如果执行的误差校正超过数据表中指定的纠错位数，就能提高可靠性。

读取期间的电源关闭对内部单元没有特别的影响。根据开机顺序重新启动即可。如果在编程（写入/擦除）期间电源关闭，则目标页面/块的数据将变为未定义。根据上电顺序重新启动，再次擦除，输入正确的数据即可。

对于NAND闪存，NOR中的过擦除等现象不是由擦除期间的断电引起的。除此之外，还有一种称为过程的现象，但它可以通过擦除块来解决。

NAND闪存对同一页面的写入次数有限制。 4x和3x产品的限制为4倍/页。由于单元的结构，NAND闪存在写入时会影响相邻单元，因此对同一页的写入次数是有限的，这称为部分程序数（NOP）（部分程序数）。如果擦除块，则该数字将被重置。

要从阅读干扰中恢复，请擦除该块。通过块擦除将块中的所有数据变为“1”，从而消除阅读干扰。

可以使用。虽然这样使用不符合当前规范，但未来它是可以适用于4 bit / 512 + 16）B NAND闪存的。另外，需要4bit ECC的NAND闪存无法使用1 bit / 512B ECC控制器，因为只会纠正一位。

如下：

• 由外部ECC进行校正，减少发生损坏的可能性。

• 坏块管理，因为可能发生块缺陷。

• 在同一块上进行多次读取操作时会发生读取干扰，因此要提前想好对策。

• 磨损均衡是必要的，因为执行块擦除有次数限制。

• 由于页面有写入的数量限制，因此系统合规性是必需的。

• 要从系统访问内存，必须进行逻辑 - 物理地址转换。

要处理这些条件, 应使用非闪存控制器设备和与闪存兼容的文件系统软件。